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湖人半导体（深圳）有限公司
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产品信息
TK20A60W
应用程序
•开关稳压器
TK20A60W
产品特性
(1)低漏源电阻:RDS(ON)=0.13
Ω(typ)。
用于超连接结构:DTMOS
(2)易于控制门开关
(3)增强模式:Vth=2.7到3.7 V(VDS=10v，I
D = 1 mA)
TK20A60W
包装和内部电路
TK20A60W
产品一般信息
数据列表TK20A60W;标准包装50类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.7V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）48nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1680pF @ 300VVgs（值）±30VFET 功能-功率耗散（值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）155 毫欧 @ 10A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 全封装，隔离接片
